
Combinação de uma potente fonte de descarga luminescente com óptica simultânea de alta resolução ultrarrápida para análise rápida do perfil de profundidade elementar de materiais condutores, não condutores e híbridos.
Para filmes finos e espessos – de nanômetros a centenas de micrômetros com resolução de profundidade nanométrica.
Os domínios típicos de aplicação incluem energia fotovoltaica, metalurgia, fabricação de LEDs, estudos de corrosão, eletrônica orgânica e microeletrônica, pesquisa e desenvolvimento de materiais, otimização de processos de deposição, PVD, CVD, revestimentos de plasma, indústria automotiva, baterias de lítio, etc.
Não é necessário UHV.
Medição de todos os elementos de interesse (incluindo H, D, O, Li, Na, C, N etc.) com detectores de alta dinâmica patenteados.
Monocromador opcional com modo de imagem e detecção dinâmica avançada para registro de espectro completo e total flexibilidade.
Fonte de RF pulsada para operação em modos RF e RF pulsada com adaptação automática.
Bombeamento duplo diferencial da fonte para preparação de amostras SEM patenteada.
Função de limpeza a plasma integrada
Tecnologia UFS patenteada para pulverização catódica ultrarrápida de materiais poliméricos e orgânicos.
DIP patenteado– interferômetro integrado para medição direta de profundidade em linha.
Diversos diâmetros de ânodo e acessórios para amostras com formatos irregulares.
Software Windows 10– Várias cópias fornecidas para instalações remotas.





























































