XploRA Nano

AFM-Raman XploRA Nano

AFM-Raman para imagens físicas e químicas

Sistema totalmente integrado baseado no microscópio de varredura por sonda SmartSPM de última geração e no microespectrômetro Raman XploRA.

Compacto, totalmente automatizado e fácil de usar, o XploRA Nano concentra o poder da microscopia de força atômica (AFM) e da espectroscopia Raman em um pacote acessível e completo, tornando a imagem TERS uma realidade para todos. O sistema TERS comprovado.

Segmento: Científico
Fabricante: HORIBA France SAS

Plataforma de análise de múltiplas amostras

Medições em macro, micro e nanoescala podem ser realizadas na mesma plataforma.

Facilidade de uso

Operação totalmente automatizada, comece a medir em minutos, não em horas!

Confocalidade verdadeira

Alta resolução espacial, estágios de mapeamento automatizados, opções completas de visualização em microscópio.

Alta eficiência de coleta

Detecção Raman oblíqua e de cima para baixo para resolução e rendimento ideais em ambos

Medições co-localizadas e com ponta de medição aprimorada (Raman e fotoluminescência).

Alta resolução espectral

Desempenho de resolução espectral excepcional, múltiplas grades com comutação automática, análise de ampla faixa espectral para Raman e PL.

Alta resolução espacial

Resolução espectroscópica em nanoescala (até 10 nm) através de ponta aprimorada.

Espectroscopias Ópticas (Raman e Fotoluminescência).

Multitécnica / Multiambiente

Numerosos modos SPM, incluindo AFM, modos condutivos e elétricos (cAFM,

KPFM), STM, célula líquida e ambiente eletroquímico, juntamente com mapeamento químico

Através TERS /TEPL. Controle total dos dois instrumentos por meio de uma única estação de trabalho e um poderoso software de controle; o microscópio de varredura por sonda (SPM) e o espectrômetro podem operar simultaneamente ou independentemente.

Robustez/Estabilidade

Scanners AFM de alta frequência de ressonância, operação longe de ruídos!

O desempenho é obtido sem isolamento ativo de vibração.

 

Scanner e base SmartSPM

Área de digitalização da amostra: 100 µm x 100 µm x 15 µm (±10%)

Tipo de varredura por amostra: Não linearidade XY 0,05%; Não linearidade Z 0,05%

Ruído: 0,1 nm RMS na dimensão XY em uma largura de banda de 200 Hz com os sensores de capacitância ligados; 0,02 nm RMS na dimensão XY em uma largura de banda de 100 Hz com os sensores de capacitância desligados; < 0,04 nm RMS no sensor de capacitância Z em uma largura de banda de 1000 Hz.

Frequência de ressonância: XY: 7 kHz (sem carga); Z: 15 kHz (sem carga)

Movimento X, Y, Z: Controle digital em malha fechada para os eixos X, Y e Z; Alcance de aproximação motorizada em Z de 18 mm

Dimensões da amostra: Máximo 40 x 50 mm, 15 mm de espessura.

Posicionamento da amostra: Faixa de posicionamento motorizada da amostra de 5 x 5 mm

Resolução de posicionamento: 1 µm

Cabeça AFM

Comprimento de onda do laser: 1300 nm, não interfere com detectores espectroscópicos.

Alinhamento: Alinhamento totalmente automatizado de cantilever e fotodiodo.

Acesso à sonda: Acesso livre à sonda para manipuladores e sondas externas adicionais.

Modos de medição SPM

Microscopia de Força Atômica (AFM) de contato no ar/(líquido opcional); Microscopia de Força Atômica (AFM) semicontato no ar/(líquido opcional); Microscopia de Força Atômica (AFM) sem contato; Imagem de fase; Microscopia de Força Lateral (LFM); Modulação de força; Microscopia de Força Atômica Condutiva (opcional); Microscopia de Força Magnética (MFM); Sonda Kelvin (Microscopia de Potencial de Superfície, SKM, KPFM); Microscopia de Força Capacitiva e Elétrica (EFM); Medição de curva de força; Microscopia de Força de Resposta Piezoelétrica (PFM); Nanolitografia; Nanomanipulação; Microscopia de Tunelamento de Varredura (STM) (opcional); Mapeamento de fotocorrente (opcional); Medições de características volt-ampère (opcional)

Modos de espectroscopia

Imagem e espectroscopia confocal Raman, de fluorescência e de fotoluminescência

Espectroscopia Raman com intensificação de ponta (TERS) nos modos AFM, STM e de força de cisalhamento

Fotoluminescência aprimorada pela ponta (TEPL)

Microscopia e Espectroscopia Óptica de Varredura de Campo Próximo (NSOM/SNOM)

Unidade AFM condutiva (opcional)

Faixa de corrente: 100 fA ÷ 10 µA; 3 faixas de corrente (1 nA, 100 nA e 10 µA) selecionáveis por software.

Acesso Óptico

Capacidade de usar simultaneamente objetivas apocromáticas de plano superior e lateral: até 100x, NA = 0,7 pelo plano superior ou lateral; até 20x e 100x simultaneamente.

Scanner piezoelétrico de circuito fechado para alinhamento espectroscópico a laser ultraestável de longo prazo: Área de medição: 20 µm x 20 µm x 15 µm; Resolução: 1 nm

Espectrômetro

Espectrômetros micro-raman compactos XploRA Plus totalmente automatizados, funcionais como microscópios micro-Raman independentes.

Faixa de comprimento de onda: 60 cm⁻¹ a 4000 cm⁻¹ 

Grades: 4 grades em torre controlada por computador (600, 1200, 1800 e 2400 g/mm)

Automação: Operação totalmente motorizada e controlada por software.

Detecção

Gama completa de detectores CCD e EMCCD.

Fontes de laser

Comprimento de onda típico: 532 nm, 638 nm, 785 nm.

Automação: Operação totalmente motorizada e controlada por software.

Software

Pacote de software integrado incluindo SPM completo, controle de espectrômetro e aquisição de dados, conjunto de ferramentas para análise e processamento de dados espectroscópicos e SPM, incluindo ajuste espectral, deconvolução e filtragem; módulos opcionais incluem conjunto de ferramentas para análise univariada e multivariada (PCA, MCR, HCA, DCA), detecção de partículas e funcionalidades de busca espectral.

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As imagens TEPL e TERS apresentam boa correlação com as imagens morfológicas AFM obtidas simultaneamente, e todas são consistentes em revelar a natureza (número de camadas) das lamelas de MoS2. Após a deconvolução, o sinal TEPL é capaz até mesmo de revelar inhomogeneidades locais dentro de uma lamela de MoS2 de 100 nm. A medição com sonda Kelvin corrobora as medições TEPL e TERS e amplia o poder dessas ferramentas combinatórias aprimoradas por ponta. A caracterização de materiais 2D por TEOS provavelmente contribuirá para a maior utilização desses materiais em produtos comerciais, por meio de uma melhor compreensão de suas propriedades elétricas e químicas em nanoescala.

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