El politipo 4H de carburo de silicio (4H-SiC) es un semiconductor de banda ancha que se ha convertido en un material crítico para la electrónica de potencia de alto rendimiento, incluyendo MOSFETs, diodos Schottky y dispositivos de alta frecuencia. Con una banda prohibida de aproximadamente 3,26 eV, una alta conductividad térmica de 4–4,9 W/cm·K y un alto campo eléctrico crítico (~3 MV/cm), el 4H-SiC permite operar a tensiones, temperaturas y frecuencias de conmutación más altas que el silicio convencional.
Estas propiedades intrínsecas permiten capas de deriva más finas, áreas de chip más pequeñas y una gestión térmica eficiente, que son ventajas clave en dispositivos de potencia compactos y de alta eficiencia. Sin embargo, el rendimiento excepcional del 4H-SiC depende en gran medida de la calidad cristalina del material. Incluso bajas densidades de defectos estructurales pueden degradar significativamente el rendimiento del dispositivo al introducir caminos de fuga, reducir la vida útil de la portadora o afectar la estabilidad del voltaje umbral.
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