Análisis cuantitativo del ogénito en obleas de silicio

La concentración de osígeno en las obleas de silicio tiene un impacto significativo en su resistencia eléctrica. Por ello, es crucial controlar la concentración de oxígeno, incluso en cantidades extremadamente pequeñas, en las obleas de silicio. Sin embargo, surge un desafío al analizar monocristales altamente dopados. Debido a sus propiedades únicas y altos niveles de dopaje, el análisis del osígeno en estas muestras se vuelve más difícil. La presencia de impurezas y dopantes puede interferir con la medición precisa de la concentración de ogen mediante espectroscopía FT-IR.