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PL de alta resolución y baja temperatura de semiconductores
La espectroscopía de fotoluminiscencia dependiente de la temperatura (PL) es un método óptico potente para caracterizar materiales.
La espectroscopía de fotoluminiscencia dependiente de la temperatura (PL) es un método óptico potente para caracterizar materiales. La PL puede utilizarse para identificar defectos e impurezas en semiconductores de Si y III-V, así como para determinar las bandas prohibidas de los semiconductores. A temperatura ambiente, la emisión de PL suele ser amplia—hasta 100 nm de ancho. Cuando las muestras se enfrían, pueden resolverse detalles estructurales; un pequeño desplazamiento espectral entre dos muestras puede representar una diferencia en la estructura. Para la refrigeración, normalmente se utilizan dos tipos de criostato: un criostato que utiliza líquido N2 o He líquido, o un criostato de ciclo cerrado en el que se incluye líquido criogénico como parte del sistema de refrigeración. La muestra enfriada es excitada por un láser, y el PL se acopla a un espectrómetro mediante una interfaz óptica. En esta Nota Técnica, se muestran datos de muestra de un sistema PL de alta resolución.
Espectrómetro de Larga Distancia Focal
Espectrómetros de imagen de longitud focal media
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