Los semiconductores III-V son importantes para la fabricación de dispositivos fotónicos activos como fuentes de luz y detectores. La fabricación exitosa de estos dispositivos depende de la alta calidad de los materiales subyacentes y de la deposición precisa de las geometrías previstas sobre un sustrato de oblea. 1 Los materiales defectuosos y las imperfecciones en las geometrías afectan negativamente el rendimiento y, por lo general, aumentan el coste y los tiempos de desarrollo. Las penalizaciones por coste y retraso se agravan aún más cuando tales defectos, ya sea en la geometría del material o del dispositivo, no se detectan lo suficientemente pronto en el ciclo.
Microespectrómetro de fotoluminiscencia
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