Los semiconductores compuestos permiten la producción de dispositivos de potencia avanzados y dispositivos fotónicos activos como fuentes de luz y detectores. La fabricación exitosa de estos dispositivos depende de la alta calidad de los materiales subyacentes (SiC, AlGaN, GaN, GaAs, InGaAs, etc.) y de la deposición precisa de las geometrías previstas sobre un sustrato de oblea.
Los defectos en materiales, como imperfecciones en las geometrías, afectan negativamente al rendimiento y suelen aumentar el coste y los tiempos de desarrollo de los dispositivos semiconductores compuestos
Aplicación: Pantallas, LEDs, diodos láser, pozos cuánticos
Materiales: GaAs, InGaAs, InP, InGaN, GaP
Imagen PL de la oblea GaAs mostrando inhomogeneidades
Imagen PL de una estructura de pozo multicuántico basada en InGaAs
Imagen PL de la capa InGaAsP en una oblea basada en InP mostrando inhomogeneidades
Aplicación: Dispositivos de alimentación
Materiales: Nitruro de Galio (GaN), Carburo de silicio (SiC), Óxido de Galio (Ga2O3)
Imagen Raman de una oblea SiC mostrando diferentes formas cristalinas
Imagen Raman de la distribución de dopaje a lo largo de una oblea SiC
Fotoluminiscencia e imagen de obleas Raman
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