LabRAM Fotoluminiscencia de semiconductores Odyssey e imagen de obleas Raman -HORIBA

Fotoluminiscencia e imagen de obleas Raman

El microscopio semiconductor LabRAM Odyssey es la herramienta ideal para la fotoluminiscencia e imagen Raman en obleas de hasta 300 mm de diámetro. El microscopio confocal verdadero HORIBA superventas está equipado con una etapa de muestra automatizada de 300 mm y una torreta objetivo para satisfacer tanto las necesidades de evaluación de uniformidad de obleas como de inspección de defectos.

Segment: Científico

Division: Espectroscopia Raman

Empresa de Fabricación:HORIBA France SAS

Vídeo de presentación

LabRAM Odyssey Semiconductor incluye hardware y software diseñados para el análisis de semiconductores:

Mapeo de obleas con torreta y etapa de muestreo automatizadas
La etapa automatizada de muestreo XY de 300 mm × 300 mm acepta obleas de hasta 300 mm (12") de diámetro para mapeo Raman y fotoluminiscencia tanto de obleas completas como de pequeñas regiones de interés (ROI). La velocidad de desplazamiento de la etapa junto con su estabilidad aseguran mediciones rápidas y fiables sobre los ROI distribuidos a lo largo de la superficie de la oblea.
Medición de uniformidad con corrección de inclinación de la oblea
La función de autoenfoque "Inclinación a mitad de camino" corrige cualquier arco e inclinación de la oblea, produciendo datos precisos de uniformidad completa de la oblea, incluso a partir de capas finas. Esta función es rápida porque determina la altura óptima de enfoque solo en cinco puntos antes del mapeo: en el centro y en cuatro puntos a mitad de camino entre el centro y las esquinas.
Desde oblea completa hasta mapeo de defectos en alta resolución con DuoScan ™
La tecnología de imagen confocal DuoScan™ es un modo de imagen confocal con capacidades tanto de escaneo láser macro-spot de tamaño variable (usando espejos de rasterizado ultrarrápidos) como de escaneo submicrométrico de alta precisión. El escaneo macro-spot es adecuado para el mapeo completo de obleas, mientras que el escaneo submicrométrico por pasos se adapta al análisis de defectos.
Metrología PL y Raman en una sola herramienta
La disponibilidad de muchos láseres de excitación junto con el amplio rango espectral del sistema, desde el ultravioleta profundo hasta el infrarrojo cercano, permite la medición simultánea de señales de fotoluminiscencia y Raman en el mismo espectro. PL y Raman en una sola herramienta aceleran significativamente la caracterización de las obleas.
Métodos: Construcción sencilla de recetas para una caracterización altamente eficiente
Los métodos te permitirán automatizar completamente toda tu rutina de caracterización Raman/PL (adquisición, procesamiento de datos, visualización y análisis), proporcionando un alto rendimiento que es manejable por técnicos de metrología.
El proceso de construcción de los "métodos" es sencillo e intuitivo: el ingeniero de proceso o de metrología puede optimizar cada operación y, con un solo clic, insertarla en la receta o método. Las operaciones individuales pueden reordenarse, añadirse o eliminarse convenientemente.
Este módulo de personalización también se ve facilitado por "plantillas", que son una forma de guardar y recuperar un conjunto de configuraciones de hardware y opciones de software.
ParticleFinder PF3: Caracterización automatizada de partículas
PF3 localiza rápidamente y caracteriza químicamente los contaminantes en una oblea completa.
PF3 localiza automáticamente y Raman mapea partículas de contaminación. Además, PF3 identifica y clasifica automáticamente todas las impurezas detectadas según sus características químicas (orgánica, silicio, etc.).
También se reportan estadísticas de propiedades morfológicas (área, perímetro, diámetro, circularidad, brillo, estimación de volumen, etc.).

Dimensiones	W × H × D (mm): 1400 × 620 × 1410
Microscopio óptico	Microscopio de espacio abierto con iluminación por reflexión de luz blanca, cámara, objetivos estándar de 5×, 10×, 100×. Torreta objetivo motorizada opcional.
Rango espectral	Estándar de 200 nm a 2200 nm desde la muestra hasta el detector (acromático, sin necesidad de cambios ópticos).
Espectrómetro de imagen	Distancia focal: 800 mm. Resolución espectral FWHM a 532 nm de longitud de onda de excitación ≤ 0,6 ^cm-1 con 1800 gr/mm y ≤ 0,3 ^cm-1 con 3000 gr/mm. Estabilidad espectral RMS: < 0,02 ^cm-1 RMS Medida en la línea Si 520 ^cm-1. Equipado con CCD de electrodos abiertos (estándar), EMCC opcional, detector opcional de matrices InGaAs (máximo 3 detectores).
Resolución espacial	resolución lateral XY < 0,5 μm; Z resolución axial < 1,5 μm.
Etapa motorizada de 300 mm × 300 mm	Etapa motorizada codificada XY de alta precisión (X = 300 mm, Y = 300 mm) con repetibilidad ≤1 μm; precisión = 1 μm; resolución (codificador) = 50 nm; tamaño mínimo del paso del motor = 10 nm. Especificaciones Z: resolución (tamaño mínimo del paso) = 0,01 μm. Existen portaobleas de tamaño 4" (100 mm), 6" (150 mm), 8" (200 mm) y 12" (300 mm). Portaobleas compatibles con vacío.
Láseres	Seleccionable por el usuario: 266 nm, 325 nm, 355 nm, 405 nm, 458 nm, 473 nm, 532 nm, 633 nm, 660 nm, 785 nm y 1064 nm. Hasta 6 motorizados.
DuoScan™	Tecnología DuoScan™ para escaneo láser rápido e imágenes Macrospot (dimensiones típicas macrospot 30 μm × 30 μm con objetivo del 50×).

Cómo la espectroscopía Raman puede medir estructuras de nanoelectrónica

La espectroscopía Raman es una herramienta esencial para la caracterización de semiconductores. Sin embargo, la resolución espacial de la espectroscopía Raman está limitada por el límite de difracción a unos 200-300 nanómetros, lo que puede ser insuficiente para analizar las características cada vez más pequeñas de los dispositivos electrónicos modernos.

Los materiales bidimensionales de grafeno y dicalcogenidos de metales de transición están en camino de convertirse en el núcleo de los futuros dispositivos electrónicos. El control del número de capas y la cristalinidad a escala de oblea sigue siendo el principal desafío.

Los materiales históricamente establecidos del grupo IV siguen siendo el componente esencial de los circuitos integrados a través de arquitecturas cada vez más complejas (tridimensionales: FinFET, FET de nanoláminas, FET Gate-all-Around).

Los semiconductores compuestos, incluidos materiales III-V, III-N y SiC, se están empleando cada vez más debido a sus propiedades materiales superiores a los semiconductores de silicio y a su papel en la optimización de la eficiencia energética de los dispositivos.

Size: 7.39 MB

LabRAM Folleto de semiconductores Odyssey

Accesorios del producto