Los elementos del Grupo IV (Si, Ge) se han utilizado históricamente en la industria de semiconductores, especialmente en la fabricación de estructuras planas y, más recientemente, tridimensionales (3D) (FinFET, Nanosheet FET, Gate-all-Around FET). Los procesos de fabricación se están volviendo cada vez más complejos, y esta complejidad impulsa una evolución en la caracterización, proporcionando información extensa sobre las propiedades del material (mediciones de tensiones, cristalinidad, extracción de fase), permitiendo la estabilización del proceso en la etapa de investigación y desarrollo.
Aplicación: transistores 2D/3D, fotovoltaicos
Materiales: Si, Ge, SiGe
Imagen Raman de un chip de silicio con regiones cristalinas, poli y amorfas de silicio
Mapa de distribución de tensiones derivado de datos Raman de una capa de silicio deformado en SiGe; Espectro Raman representativo
Fotoluminiscencia e imagen de obleas Raman
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