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Elisometría espectroscópica de semiconductores compuestos: AlxGa1-xN / GaN heteroestructuras

Los nitruros del Grupo III y sus aleaciones son los materiales más prometedores para dispositivos optoelectrónicos de longitud de onda corta como LEDs, láseres de inyección, fotodetectores, pantallas a todo color y dispositivos electrónicos como HFETs, HEMT, etc.

Para su diseño y optimización, es esencial un conocimiento detallado tanto del grosor de la capa como de las propiedades ópticas. La elipsometría espectroscópica es un método de caracterización óptica no destructiva que permite determinar estos parámetros materiales requeridos.

La elipsometría espectroscópica de modulación de cristales líquidos es una técnica excelente para la caracterización altamente precisa de la heteroestructura semiconductora compuesta AlGaN / GaN. Utilizando el elipsómetro espectroscópico MM-16, es un procedimiento sencillo determinar el grosor de la película y las dispersiones ópticas de toda la estructura incluso cuando la película tiene varios micras de grosor.

El conocimiento detallado de los parámetros ópticos de aleaciones de AlGaN es crucial, por ejemplo, para el diseño de dispositivos optoelectrónicos. Además, a partir de los parámetros ópticos se podía construir una curva de calibración para proporcionar una determinación rápida y eficiente del contenido de Al en las capas de AlGaN. Así, la elipsometría espectroscópica también demuestra ser una técnica no destructiva para la determinación de la composición de aleaciones de AlGaN. Este método puede aplicarse igualmente a otros semiconductores compuestos como SiGe, semiconductores II-VI o semiconductores clásicos III-V.

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Elisometría espectroscópica de semiconductores compuestos: AlxGa1-xN / GaN heteroestructuras
La elipsometría espectroscópica de modulación de cristales líquidos es una técnica excelente para la caracterización altamente precisa de la heteroestructura semiconductora compuesta AlGaN / GaN. Utilizando el elipsómetro espectroscópico MM-16, es un procedimiento sencillo determinar el grosor de la película y las dispersiones ópticas de toda la estructura incluso cuando la película tiene varios micras de grosor. El conocimiento detallado de los parámetros ópticos de aleaciones de AlGaN es crucial, por ejemplo, para el diseño de dispositivos optoelectrónicos. Además, a partir de los parámetros ópticos se podía construir una curva de calibración para proporcionar una determinación rápida y eficiente del contenido de Al en las capas de AlGaN.
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