A medida que los dispositivos semiconductores se reducen a escalas nanométricas, la microscopía Raman como técnica óptica se encuentra con una barrera fundamental debido al límite de difracción, que limita el análisis de nanoestructuras semiconductoras. Para superar esto, un grupo @IMEC ha desarrollado un método basado en la mejora inducida por polarización que permite detectar eficazmente estructuras mucho más pequeñas que la longitud de onda de la luz. Como resultado, la espectroscopía Raman puede ahora medir aspectos como el estrés y la composición a nanoescala, algo que antes era difícil.
Además, este método examina toda la estructura del material, no solo la superficie, convirtiendo la espectroscopía Raman en una herramienta capaz de medir tanto el volumen como la forma de los materiales. Esto abre nuevas posibilidades para que la espectroscopía Raman se utilice en el entorno de fábrica.
Fotoluminiscencia e imagen de obleas Raman
Espectroscopio Raman - Microscopio de imágenes automatizado
Sistema de inspección de película delgada totalmente automatizado
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