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Evaluación de defectos de la oblea epitaxial de GaN por CL

La densidad de defectos puede evaluarse a partir de la imagen de intensidad obtenida mediante la medición de CL.

El cristal puede parecer uniforme en la imagen del SEM, pero la mancha oscura, como la dislocación de hilo, puede observarse al medir la imagen de intensidad CL en la longitud de onda (362nm), que corresponde a la emisión del borde de banda.

La dislocación de hilo ocurre fácilmente en cristales de GaN cultivados sobre sustratos de zafiro. Se dice que esto se debe a la gran descoordinación en la red entre zafiro y GaN.

El cristal puede parecer uniforme en la imagen del SEM, pero la mancha oscura, como la dislocación de hilo, puede observarse al medir la imagen de intensidad CL en la longitud de onda (362nm), que corresponde a la emisión del borde de banda.

La densidad de defectos, como la dislocación de rosca, puede evaluarse a partir de la imagen de intensidad obtenida mediante la medición de CL.

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