포토 리소그래피(Photoric Lithography) 또는 광 리소그래피(UV Lithorgaraphy)는 얇은 필름이나 기판(웨이퍼라고도 함) 위에 부품을 패턴화하는 미세 제작에 사용되는 공정입니다.
빛을 사용하여 광마스크(광학 마스크라고도 함)에서 기판의 감광성(즉, 빛에 민감한) 화학 포토레지스트로 기하학적 패턴을 전달합니다. 그런 다음 일련의 화학적 처리를 통해 노출 패턴을 재료에 에칭하거나 원하는 패턴의 새로운 재료를 포토레지스트 아래의 재료에 증착할 수 있습니다. 복잡한 집적회로에서 CMOS 웨이퍼는 포토리소그래피 사이클을 50회까지 할 수 있습니다.

포토리소그래피는 포토레지스트 식각의 패턴이 직접 (마스크를 사용하지 않고) 빛에 노출되거나 포토마스크를 사용하여 투영된 이미지로 생성된다는 점에서 사진과 몇 가지 기본 원리를 공유합니다.
이 절차는 인쇄 회로 기판을 만드는 데 사용되는 높은 정밀도의 방법입니다. 공정의 후속 단계는 석판 인쇄보다 식각과 더 많은 공통점이 있습니다.
이 방법은 수십 나노미터 크기까지 매우 작은 패턴을 만들 수 있고, 동시에 만드는 객체의 모양과 크기를 정확하게 제어하고 전체 표면에 걸쳐 패턴을 보다 효율적으로 만들 수 있습니다.
우선 평탄한 기판을 필요로 하고, 평탄하지 않은 형상을 만드는 데 큰 효과가 없으며, 극히 깨끗한 작동 조건을 요구할 수 있다는 것이 주요 단점입니다.
포토 리소그래피는 인쇄회로기판(PCB)과 마이크로프로세서 제작의 표준 방법으로 직접 자가 조립은 포토리소그래피의 대안으로 평가되고 있습니다.

포토리소그래피는 일반적으로 컴퓨터 칩을 생산하는 데 사용되며, 컴퓨터 칩을 제조할 때, 기판 재료는 실리콘의 레지스트 피복 웨이퍼입니다. 이 공정을 통해 실리콘 웨이퍼 하나에 수백 개의 칩을 동시에 구축할 수 있습니다.