复合半导体材料

复合半导体因其高电流和高电压下的优异性能被用作功率器件，同时凭借其光电转换特性与高效能特点，广泛应用于 LED 和高性能光学传感器领域。在通信行业，它们还作为高频器件发挥重要作用。这种多样化的应用场景极大拓展了复合半导体的未来发展潜力。HORIBA 通过薄膜厚度测量、缺陷分析、载流子寿命分析以及异物分析等测量技术，为复合半导体领域提供专业支持。

 

薄膜厚度与质量检测  |  元素深度分布分析  |  晶体缺陷分析  |  异物检测/分析  |  载流子寿命分析

在通过微型化推进薄膜技术发展的进程中，HORIBA 针对实现高精度薄膜沉积控制提出了创新解决方案，包括薄膜沉积过程中的原位评估技术，以及埃米级（Ångström）超薄薄膜的精密测量方法。

• 液体中的薄膜分析：使用光谱椭偏仪液体测量单元进行分析
• 原位薄膜评估：通过将分析部件集成到腔室中进行晶圆分析

使用椭偏仪获取的薄膜信息

我们提出一种分析方法，可快速简便地测定化合物半导体薄膜中元素的深度方向分布，其性能会因元素组成比例的不同而产生显著差异。

• 元素深度分布分析
  • 辉光放电光谱法(GD-OES)对化合物半导体薄膜的元素分析
• 样品表面元素分析
  • 辉光放电光谱法(GD-OES)对 GaN 表面轻元素分布的分析

在高速通信半导体器件中，减少缺陷并精确控制杂质已变得愈发重要。我们将通过分析案例对此进行说明。

• 化合物半导体晶圆缺陷评估
  • 采用 PL 映射技术实现晶圆缺陷分布的无损评估
  • 3 英寸 InGaP 晶圆全表面高速缺陷评估
  • GaN 晶圆缺陷分类评估
  • 采用稳态 PL 光谱与时间分辨测量对同一区域进行分析
• 化合物半导体晶圆中的杂质分析
  • 砷化镓晶片中杂质分析的阴极发光技术

晶圆缺陷也可能由异物引起，我们将介绍一种微观元素分析方法来识别缺陷成因。

• SiC 晶圆缺陷部位的外来物质元素分析
  • 导致 SiC 晶圆缺陷的外来元素鉴定
• 晶圆表面大范围异物分析
  • 数平方厘米区域内异物分析
• 掩模/光罩异物检测
  • 高通量异物检测
• 晶圆表面异物去除装置
  • 采用吹气与真空吸附的自动异物去除装置

沉积高度结晶的 SiC 外延薄膜对于高性能化合物半导体至关重要，我们将介绍一种沉积后无损且精确分析结晶度的方法。

• 化合物半导体晶圆缺陷评估
  • 采用 PL 映射技术实现晶圆缺陷分布的无损评估
• SiC 载流子寿命分析
  • 通过 PL 寿命测量对不同 SiC 薄膜形成条件进行载流子寿命分析