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Three layers of silicon and a top native oxide were used to describe accurately the device. The sensitivity of the ellipsometry technique allows the characterization of materials with similar optical constants (around 0.1), such as those exhibited by the high and low deposition rate (HDR/LDR), and doped a-Si materials.
利用椭偏仪成功的对非晶硅和低温多晶硅面板进行了无损表征。设备采用HORIBA椭偏仪，测试光谱范围1.5~5eV，测试入射角为70°。
利用椭偏仪获得TFT-LCD器件的厚度和光学常数，同时研究了多晶硅材料的晶粒尺寸。
硅材料的光学常数极其依赖工艺条件。非晶硅的光学特性通常采用Tauc Lorentz或DeltaPsi 2软件材料库中的新无定型色散公式进行计算。
多晶硅通常由c-Si和a-Si的混合物使用有效介质近似模拟，通过测定层内材料的组成获得结晶度。
TFT-LCD显示面板基于非晶硅和低温多晶硅技术，因而椭圆偏振光谱可以高精度的表征TFT-LCD显示面板。UVISEL椭偏仪的灵敏度和DeltaPsi 2软件中所含的先进建模功能，可实现多层堆叠中不同方法制备的a-Si的表征。此外，椭偏仪还可以获得多晶硅薄膜中晶粒的尺寸，准确表征硅的结晶度。
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