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The crystal may seem to be uniform in the SEM image, but the dark spot such as the threading dislocation can be observed when measuring the CL intensity image at the wavelength (362nm) which corresponds to the band edge emission.
蓝宝石衬底上生长的GaN晶体中容易出现线位错。据说这是由蓝宝石和GaN的大晶格错配引起的。
在SEM图像中，晶体看上去是均一的。但在测量与带边沿发射相对应的波长（362nm）处的CL光强成像时，可以观察到暗斑，如线位错。
从CL测量得到的光强成像可以评价缺陷密度，如线位错。
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