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Five different samples with increasing thickness of GeSbTe were characterized. The samples are composed of the phase-change layer containing s GeSbTe alloy deposited onto a dielectric layer of SiO2, the substrate of c-Si. Sample 1 exhibits interference fringes in the visible; samples 2 to 5 exhibit the same experimental data in the visible and FUV range.
相变光存储技术多用于CD和DVD可重写光盘。信息是通过局部激光诱导加热薄膜层，引起相变从晶体态转化为非晶态，导致其光学反射率发生变化。
目前相变可重写光盘主要采用两类相变材料，一类是GeTe-Sb2Te3（这里简称GeSbTe）或四元AgInSbTe合金。材料的选择取决于应用的需求。
由于多层膜系的力学、光学和热特性受到整个层结构的影响，因此准确测量其厚度和光学常数至关重要。椭圆偏振光谱法可以快速、高精度的测得这些性质。
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