利用微光致发光技术对 4H-SiC 中导致材料屈服缺陷进行映射和识别

4H 碳化硅（4H-SiC）是一种宽带隙半导体，已成为高性能电力电子器件（包括MOSFET、肖特基二极管和高频器件）的关键材料。4H-SiC 的带隙约为 3.26 eV，热导率高达 4–4.9 W/cm·K，临界电场强度也高达~3 MV/cm，因此与传统硅相比，它能够在更高的电压、温度和开关频率下工作。

这些固有特性使得4H-SiC能够实现更薄的漂移层、更小的芯片面积和更高效的散热管理，这些都是紧凑型高效率功率器件的关键优势。然而，4H-SiC的卓越性能高度依赖于材料的晶体质量。即使是低密度的结构缺陷也会通过引入漏电路径、降低载流子寿命或影响阈值电压稳定性而显著降低器件性能。