光致发光

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  • SMS 系统使用反射式光路设计,可用于宽波段激发(266nm-1064nm)和发射(250nm-2200nm)范围。
  •  最大可搭载 300x300mm 电动位移平台
  •  在同一平台上集成多种不同技术,如基于滤光片的荧光成像和全光谱光致发光成像。

SMS 系统对不同半导体材料 ZnO、GaN、GaAs、CdTe、CIGS、InP和 GaSb 的光致发光光谱的表征

InP 器件的 PL 成像分析,包括 PL 发光峰的峰强、峰位和峰半高宽信息以及相应的数据直方图

光致发光测量所需各部件的技术参数

光谱仪和探测器
光谱仪MicroHRiHR320iHR550
激光器1266 nm, 325 nm, 405 nm, 532 nm, 633 nm, 785 nm, 980 nm, 1064 nm
光谱范围2(nm)250 nm – 2200 nm
推荐使用光栅3​​​​​​​1800 g/mm, 600 g/mm, 300 g/mm
光谱分辨率4(nm)0.390.180.1
显微镜
物镜5放大倍率10X50X100X
 光斑尺寸(光纤耦合)< 50 μm< 12 μm< 6 μm
 光斑尺寸(自由光路耦合)< 10 μm< 5 μm< 2 μm
样品台XYZ (手动和电动可选) – 75 x 50 mm; 100 x 100 mm; 150 x 150 mm; 300 x 300 mm
可视摄像头软件控制的可视摄像头

1 其他波长激光器可选
2 可根据要求扩展到中红外区域
3 其他光栅可选
4 基于 1200g/mm 光栅和 26μm 像素 CCD,在 500nm 处得出
5 如果工作在紫外区域或者使用覆盖较宽范围的多个激发光源,建议使用反射式物镜

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