化学机械抛光（CMP）技术是大规模半导体集成电路（LSI）制造过程中必不可少的基础技术。胶态二氧化硅被广泛用作 CMP 研磨浆料，因为其通过溶胶-凝胶法形成的洁净球形可减少抛光损伤。

由于胶态二氧化硅用于非常精确的抛光，因此其粒度的控制质量要求极高，所用的粒度分析仪必须具有高分辨率和测量重复性。胶态二氧化硅由离心式纳米粒度分析仪（Partica CENTRIFUGE）进行测量，其测量重复性得到了确认。