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硅片中氧的浓度对硅片的电阻有很大影响。因此,即使硅片中仅含有极少量的氧,对其浓度的控制也是至关重要的。然而,在分析高掺杂单晶硅时出现了一个挑战。由于其独特的性质和高掺杂水平,分析这些样品中的氧变得更加困难,杂质和掺杂剂的存在会干扰使用FT-IR光谱法对氧浓度的精确测量。
氧/氮/氢分析仪
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