光致发光和反射谱表征半导体器件

随着半导体制造业的迅猛发展，激光二极管、LED和高电子迁移率晶体管等多种类型的光电器件都通过外延生长的方法制造。光致发光光谱（PL）和光调制反射谱（PR）是表征和提高其质量过程中的重要检测方法。

本文档介绍了使用HORIBA光谱仪系统测量In_xGa_1–xAs/GaAs半导体器件的PL和PR光谱，从而得到子能带间能量、费米能级位置和In_xGa_1–xAs分级通道的2DEG面密度。