光致发光表征GaN合金及其他半导体微结构

GaN及其合金是用于制造短波长光源（激光器和LED）的重要材料。室温和低温光致发光 (PL) 通常被用来表征这些材料及器件性能。通过选择性激发这些材料制成的微结构，可以测量量子阱 (QW) 的IQE等参数。选择性激发意味着对激光光斑大小和位置的精细控制，以及对被测样品的细致观察。1