辉光放电发射光谱技术（GD-OES）实现纳米级薄膜多层结构的高分辨率深度剖析

先进深紫外光电器件及高功率电子器件的性能，高度依赖于对（Al, Ga）N量子阱、量子点等纳米级多层膜结构的精准调控。本应用说明重点介绍采用脉冲射频辉光放电发射光谱技术，对分子束外延和金属有机化学气相沉积生长的薄AlGaN/AlN多层膜进行快速、高分辨率深度剖析的能力。GD-OES技术能够以纳米级的卓越分辨率，实现对不同元素沿深度分布的快速解析。该技术不仅能够清晰分辨厚度仅2纳米的富镓薄层，还能精准揭示不同样品间Al/Ga组成比的变化。凭借其纳米级的深度分辨率、快速的检测速度以及几乎无需样品前处理的优势，GD-OES为科研实验室及半导体生产制造领域提供了一个高效的成分深度剖析解决方案。