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应用文档：利用拉曼光谱监测4H-SiC的亚表面应力
拉曼光谱技术能够对4H-SiC半导体进行精确、无损的应力分析。本研究表明，拉曼光谱中的峰位移可以揭示切割、研磨和化学机械抛光等表面处理引起的应力变化，从而为电子器件的质量控制和工艺优化提供支持。
拉曼光谱是材料科学中一项重要的分析技术，能够以非破坏性、非接触的方式测量对晶体结构、成分和机械应力敏感的振动模式。对于碳化硅（SiC）等宽禁带半导体——这类材料广泛应用于高功率、高温电子器件——理解和控制应力至关重要。应力会影响电子特性，降低器件性能，并影响长期可靠性。本应用纪要展示了如何将拉曼光谱有效应用于4H-SiC衬底表面加工过程中的应力监测与评估。