化合物半导体使得先进功率器件与有源光子器件（如光源和探测器）的制造成为可能。此类器件的成功制备，依赖于底层材料（SiC、AlGaN、GaN、GaAs、InGaAs等）的高质量，以及在晶圆衬底上精确沉积预设几何结构的工艺能力。

材料中的缺陷（如几何结构不完美）会对良率产生不利影响，通常还会增加化合物半导体器件的成本与开发时间。