LG-100 系列

激光气体分析仪

通过 HORIBA 独特的内置 IRLAM 红外气体分析技术,支持半导体的先进制造工艺

LG-100 系列激光气体分析仪能够实时测量半导体制造中蚀刻工艺产生的四氟化硅(SiF4)分压* 1 的变化。这些变化使制造商能够判断蚀刻是否已达到允许的深度(终点 *2 )。LG-100 可降低欠蚀刻和过蚀刻的风险,有助于提高半导体制造的产能和良率。

先进逻辑芯片制造需要更复杂的传感技术。HORIBA STEC 持续扩展多组分气体分析、提升响应速度,并通过其他方式扩展 LG-100 的功能,以在不断发展的半导体制造过程中提高这些最先进半导体的产能。今后,我们将继续通过扩展内置 IRLAM 技术的产品来响应多样的客户需求。

*1混合气体中每种气体的压力

*2蚀刻电路时晶圆深度的端点

事业部: 半导体
产品分类: 干法制程控制
制造商: HORIBA STEC, Co., Ltd.
  • 对蚀刻工艺产生的废气成分进行高灵敏度/高速度的测量
  • 通过气体成分变化检测工艺终点
  • 适用于非等离子体应用
  • IRLAM™(红外激光吸收调制)是 HORIBA 于 2021 年最初开发的下一代红外气体分析技术。LG-100 配备了 IRLAM™,可实现对痕量气体(ppb 级)的高灵敏度和快速(0.1 秒)测量。

 
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 *IRLAM 为 HORIBA, Ltd.的注册商标或商标

在使用多种气体在基板上刻蚀电路的工艺中,随着三维结构的发展和现代半导体器件的精细化,对这些气体的精确控制与测量变得尤为重要。因此,在最佳刻蚀终点停止刻蚀以提高良率变得更加关键。为满足此类刻蚀需求,HORIBA STEC 开发了 LG-100,这是一种能够在刻蚀过程中实时测量气体分压的设备。

 

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