辉光放电发射光谱仪 (GD-OES)

辉光放电发射光谱仪 (GD-OES)

GD-OES 是一种可对层状材料进行超快速元素深度剖析技术,同时能以纳米级深度分辨率对所有元素和厚度进行定量测量。HORIBA  的脉冲射频 GDOES 仪器配备差分干涉轮廓术(DiP),是材料研究和工艺开发的理想表征工具。

创新的脉冲射频源可对各种固体样品进行最佳性能的深度剖析,从最初几纳米到超过 150 微米采用专利的超快速溅射技术(UFS),高分子材料可轻松实现溅射。此外,该源还可用于制备扫描电子显微镜(SEM)所需的样品表面。可测量所有元素,包括、氘、、碳、氮、氧等。专利的差分干涉轮廓测量技术(DiP)可直接测量深度随时间变化的函数关系,具有纳米级精度,且与辉光放电(GD)分析同步进行。

所有 HORIBA 辉光放电仪器均采用专利的高动态范围检测器(HDD),可实时自动优化灵敏度,既能分析单层中的痕量元素,又能无损检测第二层中的主量元素,无需任何调整。

GD-Profiler 2™ 辉光放电光谱仪

GD-Profiler 2™ 可以快速且同时分析所有元素,包括气体元素N、O、H和Cl,是薄膜表征和工艺研究的理想工具。

用户培训班

我们的培训讲师都是辉光放电光谱方面的专家。他们将为您提供培训、建议和指导,以便于您充分利用好HORIBA的科学仪器。

您将更有信心和经验分析样品!

技术 & 常见问题答疑

辉光放电发射光谱仪(GD-OES

GD-OES 是一种快速提供块体和多层材料元素组成的表面/深度剖析技术,对所有元素都具有高灵敏度,点击阅读此技术以及了解其多种应用。
 

前沿用户报道

欢迎来到前沿用户报道专栏!本系列全方位展示了我们的技术实力。您将领略到由多位资深科学家、设计工程师和软件工程师组成的科研团队,如何构建相关解决方案并在多种实际场景中实现应用。

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GD-Profiler 2™样本

GD-Profiler 2™ 样本,HORIBA脉冲式射频辉光放电发射光谱结合DiP,展示了产品的功能和应用。

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