レーザ回折/散乱式粒子径分布測定装置 Partica LA-960V2
化学機械研磨 (CMP) プロセスでは、スラリー溶液の酸化剤・還元剤の濃度、粒子径、pHなどが、研磨の速度や仕上がりに影響を与えます。HORIBAはスラリー溶液の監視に必要な計測機器やCMPプロセスによるウェハへのダメージなどを評価する分析装置を提供し、CMPプロセスの歩留まり向上に貢献します。
CMPスラリーの材料として使われるコロイダルシリカは、粒子径がnmオーダーの微細な粒子です。遠心式ナノ粒子解析装置 Partica CENTRIFUGEは、高分解能に粒子径分布を測定できる装置で、再現性良く高分解能にコロイダルシリカの粒子径分布を測定できます。
CMPスラリーには、研磨性能向上のためコロイド粒子、酸化剤、キレート剤、防食剤などさまざまな成分が含まれています。マクロラマン分光装置 MacroRAMは、CMPスラリー中の成分を迅速・簡便・高精度に定量でき、従来の分析手法に比べコスト削減と操作性向上を実現します。
CMPプロセス後の洗浄工程では、ウェハ表面に残留する成分の分析が重要であり、ゼータ電位（表面電位）は、その評価の指標の一つとなっています。ナノ粒子解析装置 nanoPartica SZ-100V2は、100 μLのサンプル量で、スラリー粒子のゼータ電位を分析できます。CMPプロセス後の洗浄不良原因を明らかにすることで、安定したCMPプロセスの実現に貢献します。
