材料特性評価

50年以上に渡り、HORIBAの材料特性評価用分析技術は、材料評価から最終検査に至るまで、最先端半導体デバイスの研究開発・製造の発展に貢献しています。 インゴットから最終デバイスまで、半導体製造工場や研究機関などさまざまな現場で使用されています。 幅広い測定技術でプロセス効率に寄与する重要なデータを提供し、お客様の研究開発から製造プロセスまでを幅広くサポートします。

二次元材料

アプリケーション:CMOS、電極、バリア
材料:グラフェン、遷移金属ダイカルコゲナイド、六方晶窒化ホウ素(h-BN)
情報
・膜厚(ラマン分光分析装置、分光エリプソメータ)
・結晶品質、電荷キャリア濃度、化学量論、バンドギャップ(ラマン分光分析装置、フォトルミネッセンス)
・欠陥密度、汚染物質の可視化と識別(ラマン分光分析装置、フォトルミネッセンス)

化合物半導体

アプリケーション:パワーデバイス、ディスプレイ、LED、レーザーダイオード、量子井戸
材質:GaN、SiC、Ga₂O₃、GaAs、InGaAs、InPなど
情報
・応力と結晶構造(ラマン分光分析装置)
・ドープ量(ラマン分光分析装置)
・キャリア寿命(時間分解フォトルミネッセンス)
・エピタキシャル層の均一性&不純物の検出(フォトルミネッセンス)
・光学定数、バンドギャップ、膜厚(分光エリプソメータ)
・深さ方向元素分析(GD-OES)

IV族半導体

アプリケーション:2D/3D トランジスタ、太陽光発電(PV)
材料:Si、Ge、SiGe
情報
・光学定数、バンドギャップ、膜厚(分光エリプソメータ)
・応力・組成測定(ラマン分光分析装置)
・相識別(結晶、微結晶、非晶質)(ラマン分光分析装置)
・結晶欠陥検出(ラマン分光分析装置)
 

有機半導体とペロブスカイト

アプリケーション:太陽電池、光検出器、有機発光ダイオード (OLED)
材料:ペロブスカイト、P3HT、PEDOT:PSS、Alq₃、ペンタセンなど
情報
・深さ方向元素分布(GD-OES)
・キャリア寿命(蛍光寿命分光法)
・光学定数、バンドギャップ、膜厚(分光エリプソメータ)

※ペロブスカイト太陽電池の代表的な材料

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