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产品手册 - 射频辉光放电光谱仪 GD-Profiler 2™
了解搭载 DiP 技术的 GD-Profiler 2™ 射频辉光放电光谱仪( GD-OES ),如何为质量管控、失效分析与新材料研发,提供快速、高分辨的元素深度剖析方案。
HORIBA 射频辉光放电光谱仪 GD-Profiler 2™ ,助力解决固体氧化物燃料电池(SOFC)与固体氧化物电解池(SOEC)在研发及生产阶段的核心难题。
固体氧化物燃料电池(SOFC)与固体氧化物电解池(SOEC)技术正加速迈向商业化,缩短开发周期、实现工业化量产的问题愈发突出。制造商需同步优化材料性能、扩大产能、提升器件寿命,并依托现场反馈持续迭代技术。
辉光放电光谱仪 GD-Profiler 2™(GD-OES)是强有力的分析利器,可支撑 SOFC、SOEC 全产业链各环节的质量管控、失效分析与对标评测。仪器搭载脉冲射频(RF)技术,仅需数分钟即可获得高分辨多层元素深度剖析图谱,直观呈现多层结构电池内部真实组分分布,助力研发团队高效研判、快速决策。
深度剖析 SOFC 与 SOEC , 探索 GD-Profiler 2™ 燃料电池性能测试解决方案
* DIP 专利号: CN 106662531 A
借助搭载脉冲射频 GD-OES 技术的 GD-Profiler 2™,助力您在 SOFC 和 SOEC 研发过程中,更快、更深入地洞察材料成分、层间完整性以及降解机制。
进一步了解 GD-Profiler 2™ ,探索 GD-OES 如何支撑 SOFC 和 SOEC 的技术路线图落地与迭代。
如您有任何疑问,请在此留下详细需求信息,我们将竭诚为您服务。

