半导体

The SEM and the CL image of phosphor used as white LED.

荧光粉在获得白光方面起着关键作用，特别是对于蓝色LED+荧光粉和近紫外LED+荧光粉。为了提高高亮度白光LED的荧光性能，必须使整个荧光粉颗粒均匀发荧光。当使用CL测量用作白色LED的荧光粉时，可以观察到荧光粉颗粒中不发荧光的区域。CL系统用于评估非荧光区域，以提高荧光效率和特性。

LCD structure.

相位调制椭偏仪是一款表征TFT-LCD器件的高精度技术。不仅可以获得薄膜厚度、光学特性，还可以获得更复杂的特性，如梯度、各向异性及掺杂剂的影响。在平板行业中，降低制造成本，需要依赖可靠的测量工具控制工艺的不同阶段。椭偏仪作为一款无损高精度测试技术，非常适用于质控和在线生产监测。

Typical structure of Si/SiGe/Si sample.

拉曼光谱是一种确定硅锗层和硅帽层中的锗馏分和应变非常合适的技术。此外，在同一台仪器上使用紫外和可见光激发的可能性对于研究由硅盖层在硅锗层上构成的结构是至关重要的。恒定的Si1-xGex层中的相对锗含量是从可见拉曼光谱中计算出来的，而硅帽层的应变则是从紫外拉曼光谱中得出的。

Determination of the thickness and the dispersion of the AlGaN and the GaN layer in the samples of the GaN and AlGaN films deposited on sapphire substrates.

液晶调制椭圆偏振光谱是高精度表征化合物半导体AlGaN/GaN异质结构的优选技术。利用MM-16型椭偏仪可以测得几微米的薄膜厚度和光学常数。AlGaN的光学参数对于光电器件设计至关重要。此外光学参数可以建立标准曲线，快速测定AlGaN中Al的含量。椭偏仪同样适用于SiGe、II-VI或经典III-V族等其它化合物半导体。

BST thin film deposited onto polished sapphire substrates using Pulsed Laser Deposition (PLD)

椭圆偏振光谱仪是表征复杂铁电薄膜厚度和光学常数的有效方法，其具有高准确性和高精度。本文研究包括蓝宝石衬底的各向异性已经粗糙层和镀层随深度的层间不均匀性。

PP-TOFMS Depth Profiling of ZnO Thin layers - Measure

PP-TOFMS 是一种快速可靠的技术，可用于稀土掺杂的 ZnO 薄膜的深度分析，以高灵敏度和高深度分辨率获得Tb和Eu的深度分布。这样的深度剖析是理解光致发光数据的有力补充信息，以前通常由 SIMS、RBS 或XPS 提供，但这些仪器分析速度慢且成本较高。此示例可以扩展到用于光子学（照明、显示器、太阳能行业）领域的材料表征，例如宽带隙半导体（SiC、GaN...）、氮化物和氮氧化物、纳米硅材料、玻璃...掺杂 Yb 、Y、Sm、Er、Nd、Pr 和 Tm...

Plasma Cell Cross Section of a Typical PDP.

对于多层结构，了解每层膜的性质非常必要。HORIBA UVISEL椭偏仪采用简单的流程来研究完整PDP结构的厚度和光学性质。为了提高产品的质量和数量，HORIBA FF-1000椭偏仪可以实现产线上大面积平板的高通量测定。样品可接受尺寸达1000mm x 1000 mm。这种高精度自动化薄膜计量工具为在线生产质控提供了可靠性。

The NIR range contains the most important information to analyze the different GeSbTe structures.

椭圆偏振光谱是高精度表征可重写光盘上GeSbTe多层膜体系厚度和光学常数的有效手段。结果表明，近红外波段对这类材料的分析有较好的准确度。多样品分析减少了薄层的参数相关性和误差。DeltaPsi 2软件包含的建模功能够处理衬底两侧镀膜的情况，使得分析变得简单。

Thin Film Measurement Capabilities.

椭圆偏振光谱是一种无损光学薄膜测量工具，用于测定膜层厚度和光学常数（n，k）。该技术广泛应用与微电子、平板显示、光电子、光伏、照明、光学及功能材料、生物技术等领域。与其它光学计量设备相比，椭偏仪的独特优势在于其操作简单，测试精度高，通过光学常数表征获得物理和材料信息。

OLED Working Principle

椭圆偏振光谱法是一种高精度表征完整OLED的优异技术。它可以测定薄膜厚度、光学特性和掺杂对活性层的影响。HORIBA FF-1000椭偏仪可以实现产线上大面积平板的高通量测定。样品可接受尺寸达1000mm x 1000 mm。这种高精度自动化薄膜计量工具为在线生产质控提供了可靠性。

Fabrication of the diamond micro-pillars

利用高光谱阴极荧光光谱和成像技术对合成的CVD金刚石材料进行了表征，为新兴的固态量子力学系统提供了检测和准确定位潜在的NV荧光点缺陷的方法。在这项工作中，我们以金刚石为衬底蚀刻的微柱图案上进行CVD外延生长。阴极荧光（CL）分析显示NV色心成功地定位在柱的边缘。

High-k Dielectric with Nanoscale Thickness Studied by Spectroscopic Ellipsometry and FTIR-ATR

在互补式金属氧化物半导体（CMOS）中，正在研究用高K介质材料替代传统的SiO2或SiOxNy栅极介电层。本文对铪铝氧化物（HfAlO）进行了研究，其物理性能满足此类应用的需求。铝酸铪薄膜的结构和组成以及HfAlO/Si界面对CMOS器件的优化具有非常重要的作用。文中采用两VUV椭圆偏振光谱和红外光谱（FTIR-ATR）共同表征薄膜的厚度、带隙附近及以上光学的特性。

CIGS是非常有效的太阳能电池吸收体，常用于多种太阳能电池结构中。能够对其进行无损分析非常重要。

基于聚3-己基噻吩（P3HT）和[6,6]苯基C61-丁酸甲酯（PCBM）混合物的太阳能电池性能受其混合组分和热处理条件的强烈影响。

铟锡氧化物(ITO)是应用广泛的透明导电氧化物，它的主要特性是导电性和光学透明度，以及易于沉积成薄膜。与所有透明导电薄膜一样，必须在导电性和透明度之间做出妥协。因为增加厚度和增加载流子的浓度将增加材料的导电性，但透明度会降低。ITO通常用于制作透明导电涂层，用于液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸面板和电子墨水领域。ITO薄膜也被用于有机发光二极管、太阳能电池、抗静电涂层和电磁干扰屏蔽。在有机发光二极管中，ITO被用作阳极(空穴注入层)。ITO也被用于各种光学涂层，最显著的是用于汽车的红外反射涂层和钠蒸汽灯玻璃。其他用途包括气体传感器、减反射涂层和电介质的电润湿。

利用电子束诱导电流(EBIC)和阴极发光(CL)相结合的研究方法，阐明了降低多晶硅(mc-Si)太阳能电池转换效率的小角度晶界(SA-GBs)的电学和光学性质。

OLED sample description and experimental measurement procedure.

相较于LCD技术，OLED的优势在于宽视角、响应时间、功耗低、颜色饱和度更高，也可以更快地制造。然而OLED器件暴露在空气和水中会退化，需要在环境中密封。传统保护OLED的方法是在一个充满惰性气氛和干燥剂的金属或玻璃盖。椭偏仪是测量多层膜厚度和光学常数（n，k）的一种标准光学表征技术，已成功的表征封装OLED器件。本文还研究了OLED的老化过程，对三个有机发光二极管进行了表征。研究了α-NPD薄膜1个月的老化过程，发现薄膜的折射率显著降低，说明材料的密度在降低。

The defect density can be evaluated from the intensity image obtained by CL measurement.

在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体极易出现线位错。据说这是由蓝宝石和GaN的大晶格错配引起的。在SEM图像中，晶体看上去是均一的。但在测量与带边沿发射相对应的波长（362nm）处的CL光强成像时，可以观察到暗斑，如线位错。

Characterization of a-Si panels.

TFT-LCD显示面板基于非晶硅和低温多晶硅技术，因而椭圆偏振光谱可以高精度的表征TFT-LCD显示面板。UVISEL椭偏仪的灵敏度和DeltaPsi 2软件中所含的先进建模功能，可实现多层堆叠中不同方法制备的a-Si的表征。此外，椭偏仪还可以获得多晶硅薄膜中晶粒的尺寸，准确表征硅的结晶度。

Characterization of an OLED sample by Spectroscopic Ellipsometry.

相较于LCD技术，OLED技术具有效率高、显示质量高、对比度高、能耗低等优点，在显示技术中发挥着重要作用。此外，OLED使用的是有机可回收材料，生态方面友好。然而要想提高器件的性能，还需要对其光学和结构特性有深入的了解。椭圆偏振光谱可以提供这些信息，它无损、灵敏度高，可以表征埃级厚的膜层，并提供有关表面状态的信息以及复合材料的微观结构等。

粒度分析是检测 CMP 浆料性能的关键指标。本节中将会讨论几种粒度测定技术的流行性和实用性。

有机-无机钙钛矿混合材料作为新型高转化率低成本太阳能电池吸收层，正被广泛研究和应用。这种太阳能电池结合了有机和无机半导体的优点。随着应用和研究的日益增长，这些材料的光电性能表征也变得重要。

应用中纳米粒子嵌入在介质矩阵中用来提高光伏效应，该方法目的在于降低单带隙太阳能电池的损耗。换而言之，吸收光子能量的能力小于带隙，并且光子热损失的能力高于带隙。因此，改变粒径大小可以优化光的吸收。另一方面，为了更好的优化太阳能电池的效率，需要准确测定这些纳米粒子的光学特性。椭圆偏振光谱是表征这种材料光学和结构特性不错的选择。

Image of a packaged deep UV LED.

发光二极管（LED）具有耗电量少、寿命长、色彩丰富、耐震动、易控等特点。1990年代以来，半导体照明技术不断突破，应用领域日益扩展。LED的电光转化效率取决于LED薄膜的结构和整体材料性能。椭圆偏振光谱可以准确测定LED器件的厚度和光学常数。用于研究和工业应用。厚度和折射率的准确控制对弈器件性能的优化和工业质量的控制至关重要。

UVISEL椭圆偏振光谱仪已被用于多种纳米粒子的表征。表征涉及到DeltaPsi 2软件的特定建模开发。本文介绍了椭偏仪在纳米颗粒样品表征中的应用，说明椭偏仪可以应用于大量材料科学领域。HORIBA提供的UVISEL型椭偏仪结合DeltaPsi 2软件，具有独特的建模功能，为您在现代物理领域的研究工作提供支持。

Characterization of diamond layers by SE: crystalline undoped diamond layers on silicon substrate.

本文成功的利用椭圆偏振光谱仪表征了掺杂和未掺杂的金刚石层的厚度和光学性质。这些信息对于优化金刚石层的效率很重要。

Mapping of the nanowire performed by recording step-spectra at every 200 nm with an integration time of 1s.

采用高分辨共聚焦显微拉曼光谱仪对单根GaN纳米线进行了完整的偏正拉曼研究。使用的共聚焦拉曼光谱仪结合压电平台具有高的空间分辨率，获得空间分辨率优于200nm的光学特性，保持了共聚焦显微镜下偏振的全部优势。

本应用阐明了椭圆偏振光谱技术表征光伏器件的能力。常用的研究材料有非晶硅、多晶硅、ZnO、ITO、SNO2、TiO2、SiNx、MgO等。

A flake of MoS2: the TEPL shift image derived from fitting the PL peak through regression analysis.

TEPL和TERS图像与AFM同时获得的形貌学图像具有很好的相关性，并且在揭示MoS2薄片的性质（层数）方面都是一致的。在去卷积之后，TEPL信号甚至能够揭示100 nm大小的MoS2薄片内的局部不均匀性。开尔文探针测量支持TEPL和TERS测量，并增加了这种针尖增强耦合工具的能力。通过更好地理解二维材料在纳米尺度上的电学和化学性质，二维材料的针尖增强光谱（TEOS）表征可能有助于将这些材料进一步商品化。

Combined Raman and Photoluminescence Imaging of 2D WS2

拉曼和光致发光光谱揭示了二维材料固态结构的不同方面。用一台仪器同时进行的拉曼和光致发光成像揭示了二维晶体的固态结构和电子特性的空间变化，而这种变化在反射白光成像中是无法显示的。这种能力应该使材料科学家能够更好地设计和制造基于二维晶体的电子和光电设备。

Characterization of Carbon Nanotubes using Tip-Enhanced Raman Spectroscopy (TERS)

利用TERS揭示碳纳米管结构中的缺陷密度，对于更好地理解用这种纳米物体制成的器件的电学性质具有重要意义。通过TERS不仅可以研究缺陷浓度，而且可以研究不同径向呼吸模式下的局部手性变化，还可以研究单个碳纳米管水平上的压力效应和应变分布。

A combined (low-frequency and fingerprint) Raman map of MoS2 layers.

两种分析方法--指纹模式分析（层内）和低频模式分析（层间）--给出了互补的结果，来确定MoS2的层数。方法2（使用低频模式）给出了很好的对比度；但是它没有显示出单层区域（这与模式的性质有关，是由至少两层之间的相互作用引起的）。方法1（使用指纹模式）显示所有的层，但对比度较差，特别是对于较多的层数。结合这两种分析方法可以得到更好的结果。所有的测量（低频和指纹）都是使用超低频ULFTM滤光片完成的，它允许在全拉曼范围内进行高通量测量，低至<10 cm-1。

C60 (a) and C70 (b) fullerenes.

椭圆偏振光谱仪测定了C60和C70薄膜在0.6~6.5eV（即190-2100nm）的光学常数。光学尝试提供的信息可以更好的了解这种材料的电子结构。

Main properties determined by Spectroscopic Ellipsometry.

UVISEL椭圆偏振光谱仪是表征无定型碳薄膜厚度和光学常数的理想工具，即使膜层很薄也可以实现，还可以获得粗糙度和界面“附着力”。

RBM spectrum that represents tubes with at least 3 different properties.

拉曼在表征SWCNTs的结构方面显示出很大的潜力。有关结构的知识与纳米管的物理和化学特性之间的相关性使该技术在控制SWCNTs的质量以满足特定应用方面具有极大的威力。拉曼光谱仪的能力，如空间分辨率、光谱分辨率和激发波长的多样性，已经得到检验。除了拉曼技术，初步的荧光研究也说明了这项技术的潜力。

Spectra of carbon films that require a fit with 2 and 3 bands.

各种形式的碳元素的拉曼光谱对近邻键的类型以及中间和远距离秩序非常敏感。在许多情况下，拉曼光谱是表征碳材料的重要技术。拉曼光谱特征与摩擦学特性的相关性可以促进碳膜的沉积。

A Raman map of a graphene sample on a SiO2/Si substrate performed using the XploRA Raman spectrometer with a 532 nm laser excitation: Multivariate analysis.

石墨烯是一种新的纳米材料，在未来可能部分取代微电路和计算机芯片中的硅，为了更好地了解其质量特性，需要快速可靠的技术来提供正确的属性测量，拉曼光谱已经成为研究这种特殊材料的一种关键技术。

Characterization of diamond layers by SE: crystalline undoped diamond layers on silicon substrate.

本文成功的利用椭圆偏振光谱仪表征了掺杂和未掺杂的金刚石层的厚度和光学性质。椭偏仪非常灵敏，可以有效区分掺杂层和未掺杂层。此外，还检测到了两层间界面。椭偏仪灵敏度高可以提供广泛的信息，是表征材料光学和结构特性的优选技术。

A typical spectrum of a hard carbon film.

众所周知，元素碳材料的拉曼光谱对多聚物很敏感。对于硬碳薄膜，无定形碳和类金刚石的光谱可以通过带状拟合来分离 "石墨碳"（G带）和 "无序碳"（D带）的贡献。碳膜的光谱行为已经与薄膜的物理特性相关，如硬度、耐久性、光学透明度、导电性、导热性和耐腐蚀性，并可用于预测这些特性，而无需进行广泛的替代测试。DiskRam被设计成自动收集计算机硬盘介质上的硬碳涂层的拉曼光谱，并提取与薄膜特性有很好关联的参数。提取的信息以电子表格的形式输出，用于制造厂的SPC。

Coloured Diamond Defect Identification by Raman Diffusion and Photoluminescence

通过使用拉曼光谱仪LabRAM HR进行的光致发光分析，可以识别原生棕色和黄色钻石的颜色增强处理，绿色和紫色钻石的PL特征也已被记录下来，钻石颜色的缺陷中心可全部被检测。这证明了拉曼光谱仪是一个非常好的工具，可以通过光致发光分析研究钻石结构中的细微缺陷。

拉曼光谱通常是碳相的表征，尤其是石墨烯和氧化石墨烯的表征，因为它是非破坏性的，能提供了大量的信息，如缺陷、无序、边缘和晶界、厚度、掺杂、应力和热导率。但是，衍射限制拉曼显微镜无法实现石墨烯纳米物体研究所需的超高空间分辨率。

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