輝光放電發射光譜法(GD OES) 是一種超快速元素深度分析技術，用於LED 和薄膜光伏製造中的製程優化和製程控制，以控制使用大量材料（例如GaN 或GaAs）的多層結構的沉積。 LED、鈣鈦礦、串聯或用於光伏的 CIGS），含有摻雜劑和污染物。

使用脈衝射頻等離子體，可以在幾秒到幾分鐘內以出色的深度分辨率探測薄膜和厚膜，該等離子體將深入濺射所研究材料的代表性區域。該技術也是分析平台的核心，因為可以快速存取乾淨的嵌入式接口，以透過 XPS、SEM、橢偏儀、PL、顯微拉曼進行補充測量。

Instrument	GD Profiler 2
Elements	All possible (selection depending on application)
Etching Rate	Several nm per socond
Depth resolution	nm