發射光譜 (OES) 是一種非常靈活的方法,可測量等離子體發射的特定發射線的振幅或振幅比變化。由於 OES 是等離子體蝕刻和沈積監控的豐富即時資訊來源,因此半導體產業多年來一直使用 OES。除了終端監測之外,OES 還用於透過等離子體製程光譜匹配進行詳細診斷,例如工具波動、工具之間的變化以及例行Chamber維護或維修後的工具/製程變化。
根據不同應用,HORIBA 提供各種 OES 光譜儀和高級製程控制解決方案包,以滿足最終用戶或工具製造商的需求。
VS70 | EV2.0 | EV-140C | OES-Star | M116 | VU90 | |
Spectral range | 200-910nm | 200-1050nm | 200-800nm | 200-1050nm | 185-1050nm | 115-320nm |
Resolution | < 2 nm | < 2 nm | < 2 nm | < 1 nm | < 1.3 nm | < 0.75 nm |
Optical Coupling to the chamber | Optical Fiber | DN25 Flange or Optical Fiber | Optical Fiber | Optical Fiber | Optical Fiber | Direct |
Communication with the tool | Ethernet EtherCAD USB | TCPIP | TCPIP | USB | USB | USB |
Software | LabView | SigmaP | SigmaP | LabView | LabView | LabView |
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