在對半導體晶圓進行清潔、蝕刻或剝離應用或 MEMS 裝置 KOH/HF 蝕刻應用的化學處理後，應將製程化學品從表面完全去除，以停止化學反應並清除化學殘留物。化學品仍然覆蓋晶圓表面，特別是在凹陷處結構與溝槽內，導致化學反應繼續進行。這對於蝕刻應用至關重要，因為可能會發生過度蝕刻，從而破壞並導致良率的損失。客製化的tank是快速傾倒沖洗步驟的常見選擇。

半導體製造中使用三種類型的沖洗，取決於工具類型和應用：

• Overflow rinsing: 將晶圓浸入漂洗槽中,不斷從槽底部引入水並從頂部邊緣溢出
• Spray rinsing: 透過噴嘴以可變流量,壓力或溫度以單程模式將超純水直接分配到晶圓上（單晶圓設備的標準流程）
• Quick dump rinsing: 將晶圓放入溢出的沖洗槽中,以非常快速的方式傾倒超純水,並透過噴射和/或從底部填充來重新填充槽。