光致發光光譜（PL）是一種用於表徵半導體材料的強大光學方法。 PL 是根據在樣品上照射光：吸收光後創造電子-電洞對：電子從價帶躍遷到導帶，留下電洞。複合時發射的光子對應於價帶和導帶之間的能量差，因此能量低於激發光子。 PL 可用於尋找：

HORIBA Scientific 是光譜學領域的世界領導者，擁有 50 多年的技術創新優勢。 PL 表徵可讓您深入了解半導體材料的特性，例如 IV 族半導體、化合物半導體、2D 材料及其裝置。

	LabRAM Soleil	LabRAM Odyssey Semiconductor	SMS
Wavelength range	300-1600 nm	200 nm-2200 nm	250 – 14000 nm
Lasers	Up to 4 built in fully motorized and computer controlled	Up to 6 fully motorized	Up to 3, semi-motorized
Sample size acceptance	8”	12”	12”
Detector	Open Electrode CCD, optional EMCCD, optional InGaAs arrays detector (max. 2 detectors).	Open Electrode CCD, optical EMCCD, optical inGaAs arrays detector (max. 3 detectoers).	CCD, IGA and sigle channel