為了減少Chamber之間的差異並優化蝕刻設備的產量，HORIBA 提供了各種流體控制模組和智慧感測器，用於檢測和設備健康狀況監控。它們耐用而堅固，可用於研發和生產。

蝕刻用於微加工，在製造過程中以化學方式去除晶圓表面的層。蝕刻是一個至關重要的製程，每個晶圓在完成之前都要經過許多蝕刻步驟。

對於許多蝕刻步驟，透過抗蝕刻的「光罩」材料來保護晶片的一部分免受蝕刻劑的影響。在某些情況下，光罩材料是使用光刻法圖案化的光致抗蝕劑。其他情況需要更耐用的材質，例如氮化矽。

乾蝕刻是指透過將材料暴露於離子（通常是反應性氣體的等離子體，例如碳氟化合物、氧氣、氯氣、三氯化硼；有時添加氮氣、氬氣、氦氣和其他氣體）會將部分材料從暴露的表面去除。一種常見的乾蝕刻是反應離子蝕刻。與濕式蝕刻中使用的許多（但不是全部，請參閱各向同性蝕刻）濕式化學蝕刻劑不同，乾式蝕刻製程通常進行定向或各向異性蝕刻。