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光譜分析

利用紫外光、可見光和近紅外光分析材料的技術

光譜分析利用物質吸收和發射特定波長光的特性。它是一種分析方法,透過分離物質發射或吸收的「光」的模式,來檢測物質中所含元素的種類和含量。透過檢測構成物質的分子所特有的波長(光譜),可以根據光的強度來辨識元素的種類並測量其含量。

光發射光譜法 (OES)

等離子體是一種比其他狀態更具反應活性的狀態。利用這一特性,等離子體被廣泛應用於各個產業。在半導體製造過程中,等離子體技術被應用於多種製造工藝,包括薄膜沉積和蝕刻。這項技術的應用範圍十分廣泛,從各種等離子體的研發到生產線,涵蓋了製程終點檢測、狀態管理和等離子體診斷等各個面向。

光譜橢偏儀

橢圓偏振光譜法在半導體產業中已被用於測量電晶體柵極絕緣膜和光阻。進入21世紀,它被廣泛用於評估基於矽、矽鍺、鍺以及化合物半導體(如砷化鎵、氮化鎵、碳化矽等)的光學、通訊和功率裝置。其用途十分廣泛,不僅可以加速研發,還可以提高生產良率和品質控制。

拉曼光譜

拉曼光譜是一種非破壞性化學分析技術,能夠提供有關化學結構、相態和多晶型、結晶度和分子間相互作用的詳細資訊。其原理是利用光與材料內部化學鍵的相互作用。

光致發光(PL)

光致發光光譜法(通常簡稱PL)是指利用光能(或光子)激發物質發射光子的現象。它是一種非接觸、非破壞性的材料探測方法。本質上,光被照射到樣品上,被吸收後會發生光激發過程。光激發使物質躍遷到更高的電子能階,然後在返回較低能階的過程中釋放能量(光子)。透過這過程發射的光或發光現象就是光致發光(PL)。

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