光学发射光谱技术

光学发射光谱技术（OES）是一种非常灵活的监测方法，通过测量等离子体发射的特定谱线在强度或强度比上的变化来进行分析。由于它能为等离子体刻蚀与沉积过程提供丰富、实时的信息，OES 技术多年来已被半导体工业广泛应用。

除了用于工艺终点检测，OES 还可通过等离子体工艺光谱匹配，实现更精细的诊断分析，例如监测设备波动、设备间差异，以及例行腔体维护或维修后设备与工艺的变化。

针对不同的应用需求，HORIBA 提供一系列 OES 光谱仪及先进工艺控制解决方案套装，以满足最终用户或设备制造商的具体要求。
 

	VS70	EV2.0	EV-140C	OES-Star	M116	VU90
光谱范围	200-910nm	200-1050nm	200-800nm	200-1050nm	185-1050nm	115-320nm
分辨率	< 2 nm	< 2 nm	< 2 nm	< 1 nm	< 1.3 nm	< 0.75 nm
与工艺腔室的光学耦合	Optical Fiber	DN25 Flange or Optical Fiber	Optical Fiber	Optical Fiber	Optical Fiber	Direct
与设备的通信	Ethernet EtherCAD USB	TCPIP	TCPIP	USB	USB	USB
软件	LabView	SigmaP	SigmaP	LabView	LabView	LabView