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沉积

原子层沉积(ALD)

原子层沉积(ALD)是一种基于连续使用气相化学工艺的薄膜沉积技术。ALD 被认为是化学气相沉积的一个子类。多数 ALD 反应使用两种被称为“先驱物”的化学物质。先驱物相继以自限方式与材料表面反应。通过反复接触单独的先驱物,薄膜缓慢沉积。ALD 是制造半导体器件和纳米材料合成部分成套工具的关键工艺。

等离子体增强 ALD(PEALD)是一种将等离子体用于增强原子层沉积(ALD)过程并最终形成薄膜镀层的工艺。与标准 ALD 一样,PEALD 让特定的化学先驱物发生反应,同时也让射频等离子体进行循环,以更好地控制工艺中的化学反应。PEALD 确保了生产的高度一致性。此外,该工艺要求的温度比标准 ALD 低得多,以适应热敏材料。

化学气相沉积(CVD)

化学气相沉积(CVD)是一种通常在真空下生产高质量、高性能固体材料的沉积方法。该工艺通常用于制造半导体和薄膜生产。

在典型的化学气相沉积中,基板接触一种或多种挥发性前驱体,前驱体在基板表面发生反应和/或分解,产生所需的沉积物。根据化学气相沉积的基本原理,化学气相沉积有一系列扩展工艺,最常见的有:

常压化学气相沉积法(APCVD)

低压化学气相沉积法(LPCVD)

超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)

气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)

直接液体注入式化学气相沉积法(DLICVD)

等离子体增强化学气相沉积积法(PECVD)

远程等离子体增强化学气相沉积法(RPECVD)

原子层沉积法

金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)

物理气相沉积法(PVD)

物理气相沉积法(PVD)是可用于多种薄膜生产和镀层的真空沉积方法。在 PVD 工艺中,材料从固相变成气相,然后回到薄膜固相。溅射和汽化是最常见的 PVD 工艺。PVD 主要用于制造机械、光学、化学或电子功能的芯片所需要的薄膜。

溅射技术包括:磁控管溅射、离子束溅射、反应溅射、离子束辅助溅射、气流溅射。

汽化包括两个基本工艺:热源材料汽化并在基板上凝结。

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