清洗

在清洗、蚀刻或剥离时，或在 MEMS 器件 KOH/HF 应用中，对半导体晶圆进行化学处理后，为停止化学反应并清除化学残留物，应完全清除表面工艺化学品。由于化学物质仍然覆盖晶圆表面，尤其是拓扑凹槽结构（沟槽）内，晶圆在蚀刻槽外会继续化学反应。这对蚀刻应用至关重要，因为过度蚀刻可能会破坏图形并导致严重的良率损失。通常选择定制塑料槽、PFA 槽用于快排清洗工艺步骤。

根据设备类型和应用场景，半导体制造中采用如下三种清洗方式：

• 溢流清洗：将晶圆浸入清洗槽中，从槽底持续注水，并从顶部边缘溢出。
• 喷洗：采用单程模式（单片设备的标准工艺），在可变流量、压力或温度下通过喷嘴将超纯水直接喷洒到晶圆上
• 快排清洗：对湿式清洗台采用上述综合清洗方法，将晶圆放入溢流冲洗槽中，快速倾倒超纯水，采用喷洒和/或从底部加水的方式重新给冲洗槽补水。