在清洗、蚀刻或剥离时，或在 MEMS 器件 KOH/HF 应用中，对半导体晶圆进行化学处理后，为停止化学反应并清除化学残留物，应完全清除表面工艺化学品。由于化学物质仍然覆盖晶圆表面，尤其是拓扑凹槽结构（沟槽）内，晶圆在蚀刻槽外会继续化学反应。这对蚀刻应用至关重要，因为过度蚀刻可能会破坏图形并导致严重的良率损失。通常选择定制塑料槽、PFA 槽用于快排清洗工艺步骤。
根据设备类型和应用场景，半导体制造中采用如下三种清洗方式：
化学气相沉积（CVD）是一种通常在真空下生产高质量、高性能固体材料的沉积方法。该工艺通常用于制造半导体和薄膜生产。
在典型的化学气相沉积中，基板接触一种或多种挥发性前驱体，前驱体在基板表面发生反应和/或分解，产生所需的沉积物。根据化学气相沉积的基本原理，化学气相沉积有一系列扩展工艺，最常见的有：
常压化学气相沉积法（APCVD）
低压化学气相沉积法（LPCVD）
超高真空化学气相沉积法（UHVCVD）
气溶胶辅助化学气相沉积法（AACVD）
直接液体注入式化学气相沉积法（DLICVD）
等离子体增强化学气相沉积积法（PECVD）
远程等离子体增强化学气相沉积法（RPECVD）
原子层沉积法
金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）
在清洗、蚀刻或剥离时，或在 MEMS 器件 KOH/HF 应用中，对半导体晶圆进行化学处理后，为停止化学反应并清除化学残留物，应完全清除表面工艺化学品。由于化学物质仍然覆盖晶圆表面，尤其是拓扑凹槽结构（沟槽）内，晶圆在蚀刻槽外会继续化学反应。这对蚀刻应用至关重要，因为过度蚀刻可能会破坏图形并导致严重的良率损失。通常选择定制塑料槽、PFA 槽用于快排清洗工艺步骤。
根据设备类型和应用场景，半导体制造中采用如下三种清洗方式：
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