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在清洗、蚀刻或剥离时,或在 MEMS 器件 KOH/HF 应用中,对半导体晶圆进行化学处理后,为停止化学反应并清除化学残留物,应完全清除表面工艺化学品。由于化学物质仍然覆盖晶圆表面,尤其是拓扑凹槽结构(沟槽)内,晶圆在蚀刻槽外会继续化学反应。这对蚀刻应用至关重要,因为过度蚀刻可能会破坏图形并导致严重的良率损失。通常选择定制塑料槽、PFA 槽用于快排清洗工艺步骤。
根据设备类型和应用场景,半导体制造中采用如下三种清洗方式:
独立式化学药液浓度计
光纤型化学药液浓度计
如您有任何疑问,请在此留下详细需求信息,我们将竭诚为您服务。