辉光放电发射光谱仪 (GD-OES)

GD-OES 是一种可对层状材料进行超快速元素深度剖析技术，同时能以纳米级深度分辨率对所有元素和厚度进行定量测量。HORIBA 的脉冲射频 GDOES 仪器配备差分干涉轮廓术(DiP)，是材料研究和工艺开发的理想表征工具。

创新的脉冲射频源可对各种固体样品进行最佳性能的深度剖析，从最初几纳米到超过 150 微米。采用专利的超快速溅射技术(UFS)，高分子材料可轻松实现溅射。此外，该源还可用于制备扫描电子显微镜(SEM)所需的样品表面。可测量所有元素，包括氢、氘、锂、碳、氮、氧等。专利的差分干涉轮廓测量技术(DiP)可直接测量深度随时间变化的函数关系，具有纳米级精度，且与辉光放电(GD)分析同步进行。

所有 HORIBA 辉光放电仪器均采用专利的高动态范围检测器(HDD)，可实时自动优化灵敏度，既能分析单层中的痕量元素，又能无损检测第二层中的主量元素，无需任何调整。