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光致发光

光致发光光谱(PL)是一种用于表征半导体材料的重要光学方法。其原理是通过光源照射样本:当材料吸收光能后会产生电子-空穴对——价带中的电子跃迁至导带并留下空穴。复合过程中发射的光子能量对应于价带与导带之间的能量差,因此其能量低于激发光子。光致发光技术可用于检测:

  • 光学与电子特性
  • 微量元素/掺杂剂
  • 带隙
  • 应力
  • 缺陷/杂质
  • 材料成分变化
  • 晶圆均匀性评估

HORIBA  是光学光谱领域的全球领导者,拥有超过 50 年的技术创新优势。光致发光特性分析技术能够为半导体材料(如 IV 族半导体、化合物半导体、二维材料)及其器件提供有价值的性能洞察。

 
 LabRAM SoleilLabRAM Odyssey SemiconductorSMS
波长范围300-1600 nm200 nm-2200 nm250 – 14000 nm
激光器最多可内置 4 个全自动电机驱动并由计算机控制最多 6 个全自动电机驱动最多可支持 3 个样品,半电动式
可容纳样品尺寸8”12”12”
检测器开放式电极 CCD,可选配 EMCCD,可选配 InGaAs 阵列探测器(最多 2 个探测器)。开放式电极 CCD,光学 EMCCD,光学 InGaAs 阵列探测器(最多 3 个探测器)。CCD、IGA 及单通道

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