缺陷/杂质分析

光致发光方法能以非接触、非破坏的方式,对化合物半导体的组分、缺陷、量子阱、杂质及结晶质量进行评估。在硅基半导体中,该方法也用于硅材料中痕量杂质的分析。

凭借光谱仪器制造商特有的定制能力,我们可满足从基础研究到质量检测图谱测绘的广泛需求。

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