沉積

沉積製程是半導體產業的關鍵步驟。 HORIBA 提供多種產品來優化此製程並提高產量

Atomic Layer Deposition (ALD)

Atomic layer deposition (ALD) 是一種基於連續使用氣相化學製程的薄膜沉積技術。 ALD 被認為是化學氣相沉積的一個子類。大多數 ALD 反應使用兩種化學物質，通常稱為前驅物。這些前驅物以連續、自限的方式與材料表面一次發生一個反應。透過反覆暴露於單獨的前體，薄膜慢慢沉積。 ALD 是半導體裝置製造的關鍵工藝，也是可用於合成奈米材料的工具集的一部分。等離子體增強 ALD 是一種使用等離子體增強原子層沉積 (ALD) 工藝，形成薄膜塗層的技術。與標準 ALD 一樣，PEALD 與特定的化學前體發生反應，但也會循環射頻等離子體，以便更好地控制過程中的化學反應。這使得生產具有高水準的共形性。它還需要比標準 ALD 低得多的溫度，使其適用於溫度敏感材料。

Chemical Vapor Deposition (CVD)

Chemical vapor deposition (CVD)是一種用於生產高品質、高性能固體材料的沉積方法，通常在真空下進行。此製程通常用於半導體製造和薄膜生產。在典型的CVD中，基材暴露於一種或多種揮發性前體，這些前驅物在基材表面上反應和/或分解以產生所需的沉積物。 CVD 具有一系列基於 CVD 主要原理的工藝，最常見的是：

常壓CVD (APCVD) / 低壓CVD (LPCVD)

超高真空 CVD (UHVCVD)

等離子體增強 CVD (PECVD)

原子層沉積

金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)

Physical Vapor Deposition (PVD)

Physical vapor deposition (PVD)描述了多種可用於生產薄膜和塗層的真空沉積方法。 PVD 的特徵是材料從凝聚相轉變為氣相，然後又回到薄膜凝聚相的過程。最常見的 PVD 製程是濺鍍和蒸發。 PVD 用於製造需要薄膜以實現機械、光學、化學或電子功能的物品。濺鍍技術包括；磁控管、離子束、反應、離子輔助、氣流。蒸發涉及兩個基本過程：熱源材料蒸發並在基材上凝結。

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