相位调制椭圆偏振光谱仪表征III-V半导体：InGaAs雪崩二极管

InGaAs APD Photodetector Epitaxial Structure

An avalanche photodiode is essentially a PIN or PN photodiode operating at high reverse bias.

III-V半导体材料可以制造高性能的光电子和超高频设备。


雪崩光电二极管（APD）就属于这类器件，有很好的发展前景。在长距离光纤通信、光谱仪和激光雷达等应用它可以满足高性能光传输系统检测低强度信号的需求。然而，作为高速光学探测器，还有几个问题有待解决。这些问题包括低可靠性和非常高速响应的结构边界狭窄。


UVISEL近红外椭圆偏振光谱仪可以快速、无损的表征APD材料，有助于提高其成品率。椭圆偏振测量的准确性和可靠性使其可以取代具有选择性的化学刻蚀来监控厚度。UVISEL椭偏仪还可用于表征激光结构、光电探测器和许多其他复杂的多层器件。

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Characterisation of III-V Semiconductors using Phase Modulated Spectroscopic Ellipsometry: InGaAs Avalanche Photodiodes
The UVISEL NIR Spectroscopic Ellipsometer provides a fast, non destructive characterisation tool which has helped to improve the manufacturing yield of APDs. The accuracy and reliability of the ellipsometric measurement has allowed replacement of the selective chemical etch used to measure the thicknesses. The UVISEL Spectroscopic Ellipsometer may also be applied to the characterisation of laser structures, photodetectors and many other complex multilayer devices.
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