GR-500 氦背压控制器，是 HORIBA 新近研发的产品，它可以精确控制高真空条件，并以高精度监测气体流量，提供高精度的气体压力控制。在半导体制造过程中，GR-500 氦背压控制器可用于腔室中晶圆温度管理，帮助客户大幅提高半导体制造过程的成品率和生产效率。
近年来，由于半导体的精度要求和三维集成以及通过技术创新取得的突破，制造过程也随之变得越来越复杂。为稳定供应高质量半导体，其所需的管理和控制要求标准也不断提高。其中，晶圆温度控制至关重要。它的重要性不仅表现在蚀刻中，在其他生产过程中也是如此，例如成膜和离子注入。针对这些需求，GR-500 氦背压控制器配备了 HORIBA 设计的压力传感器，可以在高真空条件下更好地控制压力，满足需求。
在半导体制造过程中，真空工艺中的晶圆温度控制会在晶圆背面注入微量的冷却气体，以增加热导率来加热和冷却晶圆。HORIBA 的 GR 系列氦背压控制器可安装在连接真空室的管道上，提供可靠和高度精确的冷却气体压力控制，这有助于准确管理晶圆的温度。
此外，GR-500 氦背压控制器还增加了10torr、20torr和50torr压力控制范围选项。（目前压力控制器系列的控制范围为100 Torr 。）用户可以根据工艺条件选择一系列控制选项，包括较低的压力。同时 GR-500 氦背压控制器采用 HORIBA 开发的高速、高分辨率压电阀和内置压力传感器，可实现高精度±0.5%满量程压力控制，有效提高了晶圆背面低压控制范围的精度。它还配备一个内置流量传感器，可实现精确的冷却气体流量监测。
正如 HORIBA STEC 株式会社※开发事业部开发一部经理 Yutaka Yoneda 所说：“我非常高兴这一新产品能为半导体的稳定供应做出贡献。”
※ HORIBA STEC 株式会社长期为高标准要求的半导体制造市场持续不断地提供高质量、高性能质量流量控制器。
