用CL方法评估GaN外延片的缺陷
在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体极易出现线位错。据说这是由蓝宝石和GaN的大晶格错配引起的。在SEM图像中，晶体看上去是均一的。但在测量与带边沿发射相对应的波长（362nm）处的CL光强成像时，可以观察到暗斑，如线位错。
光谱范围 | UV-VIS 或 VIS-NIR 光纤耦合 |
金刚石切削收集镜 | 抛物镜 |
200 mm 伸缩臂 | 真空下马达微调 |
CL 成像探测器 | 标准: 全色光和单色光CL，室温 PMT |
CL 光谱仪类型 | microHR（焦长180mm）或iHR 320（焦长320mm）,多达 3 块光栅, 2入口/2出口 |
升级可行性 | 可在PL, MicOS系统上升级 |
电子束控制 | CL-LINK 控制多个采集过程 (模拟, 脉冲, SE), 线扫描成像, |
软件 | LabSpec 6™控制光谱仪和成像 |
远程控制器 | 可选 |
Clue 附件 | 偏振, ND 滤光片, 摄像机, EMCCD 等 |
SEM 附件 | 液氦/ 液氮制冷台, EBIC 探测器和其它可兼容 CLUE 系列的附件 |
