单通道探测器

Scientific Detectors, Single Point Detectors

PMT、固态、光电探测器可选,用于定制光谱解决方案

HORIBA提供多种单通道探测器,用于不同光谱应用中。完整的探测器包括外壳、电源和必要的制冷设施。这些探测器可以独立使用,也可以与我们的单色仪和光谱仪结合使用,您可以根据自己的要求定制解决方案。我们的许多光谱仪都具有双出口可选,既可以使用单通道探测器实现高分辨率,也可以使用多通道探测器进行快速光谱采集。HORIBA 提供多种选择,以确保您可以选择适合您需求的部件。

事业部: 科学仪器
制造商: HORIBA Scientific

光电倍增管探测器

光电倍增管探测器

探测器材料

波长范围 (nm)

有效面积 (mm)

暗电流  (nA)

制冷方式

斩波器、锁相放大器或调制信号源

PMT-928SC

多碱光电阴极

185 - 900

8 x 24

3

RT 或 TE

不需要

955

多碱光电阴极

160 - 900

8 x 24

3

RT 或 TE

不需要

1527

双碱光电阴极

185 - 650

8 x 24

0.1

RT 或 TE

不需要

2658

铟镓砷光电阴极

185 - 1010

3 x 12

1

TE

不需要

1 双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长 
RT = 室温 
TE = 热电制冷 
LN2 = 液氮制冷

固态探测器

固态探测器

探测器材料

波长范围 (μm)

有效面积 (mm)

灵敏度   (D*)

制冷方式

斩波器、锁相放大器或调制信号源

DSS-S025A

硅 (Si)

0.20 - 1.10

2.5 mm Ǿ

1.48E+14

RT

不需要

DSS-S025T

硅 (Si)

0.20 - 1.00

2.5 mm Ǿ

2.22E+14

TE

不需要

DSS-IGA020A

铟镓砷 (InGaAs)

0.80 - 1.70

2 mm Ǿ

3.54E+13

RT

不需要

DSS-IGA020T

铟镓砷 (InGaAs)

0.80 - 1.65

2 mm Ǿ

1.18E+14

TE

不需要

DSS-IGA020L

铟镓砷 (InGaAs)

0.80 - 1.55

2 mm Ǿ

1.77E+15

LN2

不需要

DSS-IGA(1-9)010T

InGaAs 扩展

1.00 - 2.05

1 mm Ǿ

8.86E+12

TE

推荐使用

DSS-IGA(1-9)010L

InGaAs 扩展

1.00 - 1.90

1 mm Ǿ

4.43E+13

LN2

推荐使用

DSS-IGA(2-2)010T

InGaAs 扩展

1.20 - 2.40

1 mm Ǿ

1.77E+12

TE

推荐使用

DSS-IGA(2-2)010L

InGaAs 扩展

1.30 - 2.20

1 mm Ǿ

8.86E+12

LN2

推荐使用

DSS-G020A

锗 (Ge)

0.80 - 1.80

2 mm Ǿ

3.94E+12

RT

不需要

DSS-G020T

锗 (Ge)

0.80 - 1.60

2 mm Ǿ

3.54E+13

TE

不需要

DSS-G020L

锗 (Ge)

0.80 - 1.50

2 mm Ǿ

7.09E+14

LN2

不需要

DSS-PS020A

硫化铅 (PbS)

1.00 - 2.80

2 x 2

1.00E+12

RT

需要

DSS-PS020T

硫化铅 (PbS)

1.00 - 2.80

2 x 2

6.67E+12

TE

需要

DSS-PSE020A

硒化铅 (PbSe)

1.00 - 4.50

2 x 2

2.00E+10

RT

需要

DSS-PSE020T

硒化铅 (PbSe)

1.00 - 4.50

2 x 2

1.00E+11

TE

需要

MCT(5)020T

碲镉汞  (HgCdTe)

1.00 - 5.00

2 x 2

1.00E+11

TE

需要

DSS-IS020L

锑化铟 (InSb)

1.00 - 5.40

2 mm Ǿ 

1.20E+11

LN2

推荐使用

DSS-MCT(14)-LN

碲镉汞 (HgCdTe)

2.00 - 14.00

2 x 2

4.00E+11

LN2

需要

DSS-MCT(20)-LN

碲镉汞(HgCdTe)

2.00 - 20.0

2 x 2

6.67E+10

LN2

需要

1 双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长
RT = 室温
TE = 热电致冷 
LN2 = 液氮制冷

热释电探测器

热释电探测器

探测器材料

波长范围 (μm)

有效面积 (mm)

灵敏度   (D*)

制冷方式

斩波器、锁相放大器或调制信号源

DSS-LT020A

钽酸锂 (LiTaO3)

2.00 to 16.00

2 mm Ǿ

1.77E+09

RT

需要

1 双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长 
RT = 室温 
TE = 热电致冷
LN2 = 液氮制冷

固态双探测器1

固态双探测器1

探测器材料

波长范围 (μm)

有效面积 (mm)

灵敏度   (D*) 硅 / 红外材料

制冷方式

斩波器、锁相放大器或调制信号源

DSS-SG020A

硅 锗

0.20 - 1.80

2 mm Ǿ

1.48E+14/2.36E+12

RT

推荐使用

DSS-SG020T

硅 锗

0.20 - 1.60

2 mm Ǿ

2.22E+14/2.13E+13

TE

推荐使用

DSS-SIGA020A

硅 铟镓砷

0.20 - 1.70

2 mm Ǿ

1.48E+14/2.13E+13

RT

推荐使用

DSS-SIGA020T

硅 铟镓砷

0.20 - 1.65

2 mm Ǿ

2.22E+14/7.09E+13

TE

推荐使用

DSS-SIA020A

硅 砷化铟

0.20 - 3.50

2 mm Ǿ

1.48E+14/5.32E+9

RT

推荐使用

DSS-SIA020T

硅 砷化铟

0.20 - 3.40

2 mm Ǿ

2.22E+14/1.06E+11

TE

需要

DSS-SPS020A

硅 硫化铅

0.20 - 2.80

2 mm Ǿ

1.48E+14/6.00E+11

RT

需要

DSS-SPS020T

硅 硫化铅

0.20 - 2.80

2 mm Ǿ

2.22E+14/4.00E+12

TE

需要

DSS-SPSE020A

硅 硒化铅

0.20 - 4.50

2 mm Ǿ

1.48E+14/1.20E+10

RT

需要

DSS-SPSE020T

硅 硒化铅

0.20 - 4.50

2 mm Ǿ

2.22E+14/6.00E+10

TE

需要

双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长 
RT = 室温 
TE = 热电致冷
LN2 = 液氮制冷

PMT 外壳

室温或制冷PMT外壳既可以独立使用也可以和HORIBA的光谱仪进行高效耦合。

外壳

使用

集成高压

制冷方式

1424M(S)

与光谱仪耦合

室温

DPM-HVH(G)

与光谱仪耦合

室温

OB-3004

独立使用

室温

1912F(G)-H

与光谱仪耦合

TE 水冷 ΔT >40°C

OB-3001

与光谱仪耦合

TE 风冷 -20°C

 

 

DSS 探测器适配器

多种适配器可选,用于收集HORIBA光谱仪信号到DSS固态探测器,使用双探测器适配器最多可在一个光谱仪上耦合4个单通道探测器!

适配器

探测器兼容性

斩波器或滤光片转轮

1427C(-AU)

单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷)

N/A

J23075610

单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷)

斩波器

J23075620

单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷)

滤光片转轮

J23075630

单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷)

斩波器 / 滤光片转轮

J23078370

两个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷)

N/A

J23079050

PMT 或 DSS 探测器 (室温, TE制冷) 和 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷)

N/A

200 nm - 20 µm 探测器

单点探测器光谱响应

光致发光测量系统表征半导体
光致发光测量系统表征半导体
光致发光是通过光子激发(通常是激光)获得的光发射,通常在III-V族半导体材料中可以观察到。这种类型的分析允许对半导体进行无损表征(材料成分、定性研究等)

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