等离子体分析飞行时间质谱仪PP-TOFMS

Plasma Profiling TOFMS webinar: PP-TOFMS in the cleanroom of CEA-LETI

快速、灵敏、高分辨的深度剖析技术

等离子体分析TOFMS满足了材料科学家在多领域的应用需求，可对无机材料进行快速元素深度分布剖析，测试速度快，操作简单，减少了许多生长过程优化时间，有助于减少发现新材料到应用的时间。

可覆盖每个深度点测试的 TOFMS 可以用于检测非可疑污染，这是薄膜工艺失效分析和优化的关键，这种方法不局限于高阶方法（即喷墨印刷……）。

PP-TOFMS 是材料科学家理想的过程监控工具:

检查化学计量与层深度的关系，范围从纳米到数十微米
确定掺杂深度分布
识别未预料到的污染
监控界面组成和宽度

事业部: 科学仪器

产品分类: 辉光放电发射光谱仪（GD-OES）

制造商: HORIBA France SAS

PP-TOFMS 仪器具有：

紧凑
快速
轻松上手
材料科学中广范应用
多用户

辉光放电等离子源
独特的脉冲射频专利技术
无需样品制备，无需超高真空环境
激光定位样品
可测试0.7 cm 到 30 cm高的样品
标准 4 mm 阳极（4 mm ⌀ 坑道）
可用 2 mm 阳极（2 mm ⌀ 坑道）
无油环境（干泵）
易于拆卸和清洁辉光源部件

FOT分析

• 正交提取

• 高分辨率反射器（在208 Th 时分辨率高达 5000）

• 对用户友好、符合人体工程学、简单易学

• 可滤除四个强离子以获得高动态：用户选择离子和衰减幅度

软件

• 快速自动启动程序

• 实时显示深度剖面

• 一键半定量深度剖面

• 远程在线功能

PP-TOFMS 是一种快速可靠的技术，可用于稀土掺杂的 ZnO 薄膜的深度分析，以高灵敏度和高深度分辨率获得Tb和Eu的深度分布。这样的深度剖析是理解光致发光数据的有力补充信息，以前通常由 SIMS、RBS 或XPS 提供，但这些仪器分析速度慢且成本较高。此示例可以扩展到用于光子学（照明、显示器、太阳能行业）领域的材料表征，例如宽带隙半导体（SiC、GaN...）、氮化物和氮氧化物、纳米硅材料、玻璃...掺杂 Yb 、Y、Sm、Er、Nd、Pr 和 Tm...

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